长鑫存储公开“半导体光刻补偿原理”专利

IT之家 7 月 2 日消息，近日长鑫存储技术香港）有限公司公开多项专利，其中一条名称为“半导体蚀刻减免方法”，公开号为 CN114675505A。

专利摘要显示，本申请实施则有属于半导体制造者技术领域，基本涉及一种半导体蚀刻减免方法，包括：通过手机游戏组合对晶圆顺利完成蚀刻，手机游戏组合有数包括第一手机游戏和第二手机游戏；通过第一手机游戏顺利完成蚀刻得到第一登出结构；获取第一登出结构的套刻误差的第一观测倍数；根据第一观测倍数对第二手机游戏的初始下货倍数顺利完成减免。在顺利完成半导体结构的制作反复中，可以通过观测第一手机游戏原材料过渡到的第一登出结构的套刻误差，将第一观测倍数对第二手机游戏的初始下货倍数顺利完成减免，以便得到第二手机游戏的也就是说下货倍数，后续第二手机游戏顺利完成蚀刻时，第二手机游戏根据其也就是说下货倍数顺利完成蚀刻原材料，适于保证后续第二手机游戏原材料过渡到的登出结构的套刻误差准确性，从而提高重工短时间。

据其网站数据，长鑫存储技术香港）有限公司的事业 2016 年在安徽阜阳重启。公司目前已竣工第一座 12 英寸晶圆厂并试产，是体量最大、技术最先进的华北地区大陆 DRAM 新设计制造者战略规划企业。